Trụ sở công ty SK Hynix tại Incheon, Hàn Quốc. Ảnh: Yonhap/TTXVN
Tập đoàn SK Hynix của Hàn Quốc ngày 27/8 động thổ xây dựng cơ sở đóng gói tiên tiến dành cho bộ nhớ băng thông cao (HBM) tại bang Indiana của Mỹ, với vốn đầu tư 5,36 nghìn tỷ won (3,87 tỷ USD).
Cơ sở đặt tại thành phố West Lafayette, trên diện tích khoảng 540.000 m², dự kiến hoàn thành phòng sạch vào tháng 10/2028 và sản xuất hàng loạt HBM4E từ quý III/2029. Dự án được kỳ vọng tạo khoảng 7.000 việc làm trực tiếp và gián tiếp.
SK Hynix sẽ vận chuyển wafer HBM sản xuất tại Hàn Quốc tới Indiana để đóng gói, kiểm thử trước khi cung cấp cho các khách hàng công nghệ lớn tại Mỹ. Cơ sở này cũng có trung tâm R&D về chất bán dẫn AI, hợp tác với Đại học Purdue nghiên cứu công nghệ HBM thế hệ mới.
SK Hynix đặt mục tiêu đưa cơ sở Indiana trở thành một trong những trung tâm sản xuất HBM chủ chốt tại Mỹ vào năm 2030, góp phần đáp ứng nhu cầu bộ nhớ cho AI và củng cố chuỗi cung ứng chất bán dẫn tại nước này.
